【】一種pvt法生長(zhǎng)碳化硅晶體的方法及其裝置_
吳晟-2012[####]本發(fā)明涉及一種PVT法生長(zhǎng)碳化硅晶體的方法及其裝置,在坩堝的上方設(shè)置可移動(dòng)絕熱調(diào)節(jié)元件,生長(zhǎng)碳化硅晶體時(shí),隨著坩堝蓋上的晶體長(zhǎng)厚,逐步增大可移動(dòng)絕熱調(diào)節(jié)元件與坩堝蓋...[/####] 碳化硅半導(dǎo)體晶片生產(chǎn)設(shè)備_上海破碎生產(chǎn)線
S5X系列篩分設(shè)備 5X系列振動(dòng)篩是采用目前國(guó)際先進(jìn)的振動(dòng)篩設(shè)計(jì)理念和制造工藝,并...現(xiàn)已研發(fā)出擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的碳化硅晶體生長(zhǎng)爐和碳化硅晶體生長(zhǎng)、加工技術(shù)和專業(yè)...
高溫化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)碳化硅晶體(HTCVD)_中國(guó)電力電子產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
2013年7月29日-溫度、氣體壓力、本底真空及各反應(yīng)氣體分壓(配比)對(duì) SiC 單晶生長(zhǎng)及其缺陷形成的影響,基于以上分析,得出高溫化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)碳化硅晶體的工藝...
【】碳化硅晶體生長(zhǎng)的方法和裝置_
M·J·帕斯雷,O·C·E·科迪那-2008[####]碳化硅晶體生長(zhǎng)的方法和裝置M·J·帕斯雷O·C·E·科迪那...[/####] 中國(guó)成功研制國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅晶片年產(chǎn)7萬片_
趙佶-《半導(dǎo)體信息》-2015[####]碳化硅晶片;硅單晶;半導(dǎo)體材料;小龍團(tuán);光電探測(cè)器;功率晶體管;鍺半導(dǎo)體;第三代半導(dǎo)體;科合;晶體生長(zhǎng)正從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底,陳小龍...[/####] 環(huán)境影響評(píng)價(jià)報(bào)告公示:碳化硅晶體材料科技示范環(huán)評(píng)報(bào)告 - j..._豆丁
2016年4月20日-內(nèi)蒙古索能硅材料科技有限公司碳化硅晶體材料科技示范項(xiàng)目...設(shè)備清單......工藝路線...
碳化硅晶體
2015年10月16日-碳化硅晶體特殊設(shè)備 編輯 目前市場(chǎng)上有關(guān)碳化硅的設(shè)備有峰值溫度約1950度高溫退火設(shè)備碳化硅器件高溫活化爐和...
碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備的研制_圖文_
評(píng)分:5/548頁[/####]2013年4月26日-碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備的研制 - 西安理工大學(xué) 碩士學(xué)位論文 碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備的研制 姓名:李留臣 申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士 專業(yè):電氣工程 指導(dǎo)教師:陳治明 20...
碳化硅單晶生長(zhǎng)工藝的研究--《新疆大學(xué)》2012年碩士論文
碳化硅 物理氣相傳輸法 籽晶桿提拉定位器 金剛石磨料... 【摘要】:作為第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料,碳化硅(SiC)...在對(duì)改進(jìn)SiC晶體生長(zhǎng)工藝、優(yōu)化生長(zhǎng)設(shè)備及回收加工磨料...
碳化硅晶體生長(zhǎng)爐的制作方法
升華氣體是利用坩堝內(nèi)部的溫度梯度來進(jìn)行質(zhì)量運(yùn)輸?shù)?傳統(tǒng)設(shè)備在坩堝內(nèi)形成較大軸...一種爐腔可更換的晶體提拉爐的制造方法與工藝 一種碳化硅外延生長(zhǎng)裝置及方法 一...
第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶的應(yīng)用前景及產(chǎn)業(yè)化前景 - 晶體 - 小木蟲 ...
2013年12月29日-碳化硅單晶被認(rèn)為是第三代半導(dǎo)體材料,有很多二代硅所不具有的優(yōu)良性質(zhì)。但碳化硅...工藝技術(shù) 化工設(shè)備 化工 精細(xì)化工 電化學(xué) 環(huán)境 專業(yè)學(xué)科 機(jī)械 物...
碳化硅(SiC)_圖文_
評(píng)分:5/526頁[/####]2012年12月23日-碳化硅(SiC)_材料科學(xué)_工程科技_專業(yè)資料。 目錄一...SiC晶體的獲得早是用Acheson工藝將石英砂與C混合...?射頻濺射法采用射頻濺射制取SiC薄膜,制樣...
大直徑碳化硅晶體生長(zhǎng)工藝及設(shè)備-西安理工大學(xué)技術(shù)研究院
2017年10月25日-本項(xiàng)目研究人工生長(zhǎng)大直徑碳化硅單晶體的基本問題,開發(fā)適合于器件制造的優(yōu)質(zhì)碳化硅單晶的生長(zhǎng)工藝與設(shè)備,形成一定的設(shè)備及晶體生產(chǎn)能力。目前,該項(xiàng)目...
碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備的研制_
李留臣-西安理工大學(xué)-2002[####]隨著信息化社會(huì)和現(xiàn)代科技的迅速發(fā)展,對(duì)可以在Si和GaAs器件難以承受的高溫環(huán)境下工作的電子器件的需求越來越迫切。在尋求高溫器件的同時(shí),研制高頻大功率、抗輻射的高...[/####] 【】碳化硅生產(chǎn)工藝_
朱勝利,袁逢寬-2012-被引量:2[####]本發(fā)明涉及一種利用廢棄的碳化硅細(xì)粉進(jìn)行碳化硅晶體加工工藝,包括在碳化硅反應(yīng)爐內(nèi)加入石英砂與焦炭的步驟以及在碳化硅冶煉前在碳化硅反應(yīng)爐內(nèi)加入由廢棄碳化硅細(xì)粉制備...[/####] 碳化硅晶體【多圖】_價(jià)格_圖片- 天貓精選
天貓精選碳化硅晶體專題,我們從價(jià)格、評(píng)價(jià)、銷量出發(fā),為您精選了和碳化硅晶體相關(guān)的41個(gè)商品
碳化硅晶體生長(zhǎng)工藝及設(shè)備-西安理工大學(xué)技術(shù)研究院
2017年10月25日-碳化硅晶體生長(zhǎng)工藝及設(shè)備 時(shí)間: 10:58:34 來源:技術(shù)研究院 主要內(nèi)容 碳化硅(SiC)具有禁帶寬、臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子飽和漂移速度高...
中科風(fēng)控:第三代半導(dǎo)體材料——碳化硅(SiC)研究分析
2017年8月16日-1907年 只碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生 1955年 ...Management)組織,拓展碳化硅在電源和電器設(shè)備中的...隨著寬禁帶技術(shù)的進(jìn)步,材料工藝與器件工藝的逐...
【碳化硅晶體研究方向技術(shù)人員招聘_廣東省機(jī)械研究所】-北京前程...
2016年8月12日-5、熟練操作碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備,并具有一定的故障處理能力。 6、具有較強(qiáng)的溝通能力和團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)。 7、具有較豐富的碳化硅晶體生長(zhǎng)工藝制定和操作經(jīng)...
碳化硅晶體生長(zhǎng)工藝工程師—北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司
2018年7月31日-1、掌握碳化硅晶體生長(zhǎng)理論;2、熟悉碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備;3、對(duì)碳化硅晶體生長(zhǎng)工藝過程有較深的認(rèn)知;4、掌握碳化硅鏡片的處理和分析方法,并能夠根據(jù)實(shí)驗(yàn)...
碳化硅,碳化硅晶體配方工藝【精編新 -
碳化硅,碳化硅晶體配方工藝(含原料配比)【精編新,其他教育培訓(xùn),這里云集了眾多的供應(yīng)商,采購(gòu)商,制造商。這是碳化硅,碳化硅晶體配方工藝(含原料配比)【精編新...
碳化硅晶體_碳化硅晶體生產(chǎn)工藝配方全套精編新版資料 -
本套《碳化硅晶體生產(chǎn)工藝配方全套精編新版資料》,全套售價(jià)200元,包括目錄列出的全部...材料類資料均包括有詳細(xì)配方配比和生產(chǎn)工藝,機(jī)械設(shè)備類,都包括技術(shù)關(guān)鍵,技術(shù)要點(diǎn)...
科學(xué)家研制出一種純度極高的碳化硅晶體,該晶體制成的半..._
2014年11月30日-回答：A、當(dāng)物質(zhì)處于a點(diǎn)時(shí)物體溫度還沒有達(dá)到熔點(diǎn),所以沒有熔化.此時(shí)只有固態(tài)沒有液態(tài).故A錯(cuò)誤.B、當(dāng)物質(zhì)處于b點(diǎn)時(shí)物體溫度還沒有達(dá)到熔點(diǎn),所以沒有熔...
碳化硅晶體_碳化硅晶體生產(chǎn)工藝配方全套精編新版資料 -
本套《碳化硅晶體生產(chǎn)工藝配方全套精編新版資料》,全套售價(jià)200元,內(nèi)容包括從85年發(fā)貨當(dāng)日目錄列出技術(shù)原文,我們?yōu)槟峁┰嫱暾Y料,所有技術(shù)均通過國(guó)家相關(guān)部門...
【漲知識(shí)】半導(dǎo)體碳化硅單晶材料的發(fā)展_科技_網(wǎng)
2017年9月4日-五、碳化硅單晶的主要缺陷 提高SiC晶體質(zhì)量,意味著必須降低晶體中得缺陷,正如上文所說,PVT法生長(zhǎng)SiC單晶需要控制的工藝參數(shù)較多,并且這些參數(shù)在生長(zhǎng)...
