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大直徑碳化硅晶體生長工藝及設備-工藝、、技術轉讓: 碳化硅(SiC)具有禁帶寬、臨界雪崩擊穿電場強度高、電子飽和漂移速度高、熱導率高、以及耐高溫、抗輻照和耐腐蝕等特點，是制造高性能電力電子器件、大功率固體微波器件和固體等新型器件和耐高溫集成電路的優選材料，也是氮化鎵白光LED和氮化鎵微波功率器件理想的襯底材料。 本項目研究人工生長大直徑碳化硅單晶體的基本問題，開發適合于器件制造的優質碳化硅單晶的生長工藝與設備，形成一定的設備及晶體生產能力。目前，該項目組使用自行研制、具有自主知識產權的TDL16型生長設備和晶體生長工藝，已能制備直徑58mm以內、長度15mm以內的6H-SiC體單晶；可以制備更大尺寸的4英寸碳化硅晶體生長設備已進入安裝、調試階段。