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    碳化硅設備工藝

    寫作時間:2007-04-11文章來源: 采石場設備網 文章作者:本站編輯
    碳化硅及碳化硅制品生產新工藝新技術與新設備選用質量驗收標準全書詳細介紹及目錄:內容簡介 篇碳化硅原料 章脈石英 章石英砂 第三章焦 第四章其他 篇碳化硅結構及性能 章碳化硅晶體結構 章化學成分 第三章碳化硅的色澤 第

    碳化硅及碳化硅制品生產新工藝新技術與新設備選用質量驗收標準全書詳細介紹及目錄:內容簡介 篇碳化硅原料 章脈石英 章石英砂 第三章焦 第四章其他 篇碳化硅結構及性能 章碳化硅晶體結構 章化學成分 第三章碳化硅的色澤 第四章碳化硅的和電化學性能 第五章碳化硅穩定性與氧化 第三篇碳化硅合成工藝 章碳化硅冶煉工藝 章碳化硅砂的整形處理 第四篇碳化硅技術條件 章碳化硅理化性能條件 章碳化硅粒度條件 第五篇碳化硅燒結的基本 章燒結的擴散理論 章燒結的流動理論 第三章燒結的幾何理論 第四章強化燒結理論 第五章燒結過程機模擬 第六篇碳化硅液相燒結技術 章液相燒結的條件與過程 章影響液相燒的因素 第三章液相燒結的優點與局限 第四章液相燒結的發展與應用 第七篇碳化硅粉末制備工藝 章碳化硅粉末制備方法 章碳化硅粉末制備工藝 目。

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    英才書店

    書名:《碳化硅及碳化硅制品生產新工藝新技術與新設備選用質量驗收標準

    市場價:798元

    作 者:編委會

    冊數規格::全三卷 1CD 大16開精裝

    出版社:中國科技文化出版社2005年出版

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    大直徑碳化硅晶體生長工藝及設備-工藝、、技術轉讓: 碳化硅(SiC)具有禁帶寬、臨界雪崩擊穿電場強度高、電子飽和漂移速度高、熱導率高、以及耐高溫、抗輻照和耐腐蝕等特點,是制造高性能電力電子器件、大功率固體微波器件和固體等新型器件和耐高溫集成電路的優選材料,也是氮化鎵白光LED和氮化鎵微波功率器件理想的襯底材料。 本項目研究人工生長大直徑碳化硅單晶體的基本問題,開發適合于器件制造的優質碳化硅單晶的生長工藝與設備,形成一定的設備及晶體生產能力。目前,該項目組使用自行研制、具有自主知識產權的TDL16型生長設備和晶體生長工藝,已能制備直徑58mm以內、長度15mm以內的6H-SiC體單晶;可以制備更大尺寸的4英寸碳化硅晶體生長設備已進入安裝、調試階段。

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