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如何去除亞微米碳化硅粉中的游離碳？——星問答——上海研發公共服務平臺:采用包混工藝將酚醛樹脂和硅粉制備成粉體先驅體,然后經碳化和煅燒,制備出球形度好、粒徑分布窄且均勻的亞微米碳化硅粉體,其平均粒徑約為0.1μm。亞微米碳化硅粉體的生成過程為硅–酚醛樹脂核殼粉體先驅體經過800℃碳化處理生成硅–碳核殼粉料;在1500℃燒結,液態硅與碳殼內層反應生成碳化硅層;在熱應力和液態硅的沖擊下碳化硅殼破碎,形成的亞微米碳化硅顆粒進入液態硅中,通過碳化硅生成、破碎的不斷循環,新的碳化硅層不斷向碳層推進直完全生成亞微米碳化硅球形粉體。碳化硅陶瓷具有硬度高、高溫強度大、熱導率高、化學穩定性好、熱膨脹系數小、絕緣性好和帶隙寬等優良性能,在航空航天、汽車、機械、電子、化工、能源以及環保等領域得到廣泛的應用[1–3]。研究表明:在碳化硅陶瓷的制備過程中,隨著原料的粒度變小,其燒結性能。

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發布時間：2008-2-15 10:18:00

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聯系人：瞿宇清(廠長)

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